MASTERGAN1 Uzito wa Nguvu ya Juu Nusu-Daraja

Dereva wa kiwango cha juu cha STMicroelectronics 'daraja-daraja dereva wa juu ni pamoja na mbili-650 V-mode ya kukuza GaN HEMTs

STMicroelectronics MASTERGAN1 High Power Density Half-Bridge STMicroelectronics 'MASTERGAN1 ndiye dereva wa kwanza wa daraja la 600 V aliye na mfumo wa GaN HEMT katika kifurushi (SiP) ulimwenguni na kitu cha kwanza cha jukwaa la MASTERGAN. MASTERGAN1 ni thabiti, na inafanya uwezekano wa kutekeleza usambazaji mkubwa wa nguvu, hata mara nne ndogo kuliko usambazaji wa umeme kulingana na swichi za MOSFET, shukrani kwa mzunguko wa juu wa GaN na ujumuishaji mkubwa wa dereva na swichi mbili za GaN sawa kifurushi. Inatoa pia uimara. Dereva ya nje ya mtandao imeboreshwa kwa GaN HEMT kwa uendeshaji wa haraka, mzuri, na salama na kurahisisha mpangilio. Usimamizi wa swichi za busara za GaN zinaweza kuwa ngumu, lakini dereva iliyoingia inasimamia swichi za GaN ili kurahisisha muundo wa usambazaji wa umeme.

Vipengele

Power SiP inayojumuisha dereva wa daraja-nusu na transistors za GaN
Kupunguza gharama ya BOM
Ufanisi
Imara
Mpangilio wa bodi iliyorahisishwa
3.3 V hadi 20 V pembejeo zinazoendana
Mvutano wa pini ya kuingiza inayoambatana na anuwai ya voltage na huru na kifaa V_CC
Kazi ya kuingiliana
Usimamizi wa moja kwa moja wa hali inayoingiliana

Maombi

Vifaa vya umeme wa mode-switch
Chaja na adapta
High-voltage PFCs
Waongofu wa DC / DC na DC / AC
Mifumo ya UPS
Nguvu ya jua